HgTe 量子阱中温度驱动的单谷狄拉克费米子
材料科学
2017-07-13 v3
摘要
我们报道了对两个 HgTe/CdHgTe 量子阱在临界阱厚度 d_c 以下和以上的温度依赖磁光谱研究。我们在高达 16 T 的磁场和 2 K 至 150 K 的温度范围内获得的结果，清晰地表明了带隙能量随温度的变化。宽于 d_c 的量子阱显示出从拓扑绝缘体到半导体相的温度驱动转变。在 90 K 的临界温度下，弱磁场中带间和带内跃迁的合并明确地表明了无能隙态的形成，揭示了速度为 5.6×10^5 m·s^{-1} 的单谷无质量狄拉克费米子的出现。对于这两个量子阱，从实验数据中提取的能量与基于具有温度依赖参数的 8 带 Kane 哈密顿量的计算结果吻合良好。
引用
@article{arxiv.1702.06869,
title = {Temperature-driven single-valley Dirac fermions in HgTe quantum wells},
author = {M. Marcinkiewicz and S. Ruffenach and S. S. Krishtopenko and A. M. Kadykov and C. Consejo and D. B. But and W. Desrat and W. Knap and J. Torres and A. V. Ikonnikov and K. E. Spirin and S. V. Morozov and V. I. Gavrilenko and N. N. Mikhailov and S. A. Dvoretskii and F. Teppe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.06869},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 3 figures and Supplemental Materials (4 pages)