ZrTe5 中 Dirac 电子行为与拓扑能带反转的 NMR 证据
材料科学
2019-11-01 v1
摘要
我们报道了对拓扑量子材料 ZrTe 的 Te 核磁共振测量结果。自旋-晶格弛豫结果可由 Dirac 电子系统的理论模型很好地解释，揭示了 ZrTe 的拓扑特性依赖于温度，随温度升高从弱拓扑绝缘体转变为强拓扑绝缘体。电子结构计算证实了这一顺序，与先前提出的顺序相反。核磁共振结果表明，在我们的晶体中，在 Lifshitz 转变温度 K 处出现无能隙 Dirac 半金属态。我们证明， 处核磁共振位移的变化也为拓扑相变发生时的能带反转提供了直接证据。
引用
@article{arxiv.1910.07472,
title = {Dirac electron behavior and NMR evidence for topological band inversion in ZrTe5},
author = {Yefan Tian and Nader Ghassemi and Joseph H. Ross},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.07472},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 4 figures