ZrTe$_5$ 和 HfTe$_5$ 中强拓扑绝缘体与弱拓扑绝缘体之间的相变
材料科学
2017-04-10 v3
摘要
ZrTe 和 HfTe 自被理论预测为拓扑绝缘体 (TIs) 以来引起了越来越多的关注。然而，后续工作关于其拓扑性质显示了许多矛盾。迄今为止，不同实验中观察到了三种可能的相，即强拓扑绝缘体、弱拓扑绝缘体和狄拉克半金属。本质上，ZrTe 或 HfTe 是否具有能隙仍然是一个问题。在此，我们展示了关于不同体积下 ZrTe 和 HfTe 电子性质和拓扑性质的详细第一性原理计算，并清楚地证明了当晶体膨胀时，拓扑相从强拓扑绝缘体经过中间的狄拉克半金属相转变为弱拓扑绝缘体。我们的工作可能为 divergent 的实验结果提供统一的解释，并为进一步阐明这些材料拓扑性质的实验提出关键线索。
引用
@article{arxiv.1611.04263,
title = {Transition between strong and weak topological insulator in ZrTe$_5$ and HfTe$_5$},
author = {Zongjian Fan and Qi-Feng Liang and Y. B. Chen and Shu-Hua Yao and Jian Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.04263},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 4 figures