二维Si/SiGe空穴系统中温度驱动的流线与相变研究

我们对Si/SiGe空穴系统进行了低温输运实验。测量的横向和纵向电导率$\sigma_{xx}$和$\sigma_{xy}$使我们能够研究系统中磁场诱导的相变。特别是，我们首次研究了朗道能级填充因子$\nu=1.5$附近“反常霍尔绝缘体”区域中温度驱动的流线。“反常”温度驱动的流线可能是由于Si/SiGe空穴系统中不寻常的能级方案。此外，对于$3<\nu<5$，在$\rho_{xx} (B)$、$\rho_{xy} (B)$、$\sigma_{xx}$和$\sigma_{xy}$中存在一个与温度无关的点，该点对应于量子相变的边界。