拓扑绝缘体 YbB6 中压力诱导的量子相变
强关联电子
2018-07-03 v2
摘要
含有 4f 电子的拓扑绝缘体（TIs）由于非平凡拓扑性质与强电子关联之间可能的相互作用，近来引起了广泛关注。YbB6 和 SmB6 是具有此类不寻常性质的典型体系，它们可通过外部压力调节从而产生新的涌现现象。在此，我们报道了通过原位高压电阻、霍尔、X 射线衍射和 X 射线吸收测量，首次观测到 YbB6 中两个压力诱导的量子相变（QPTs）。我们的数据显示，由于压力驱动的 Yb f 轨道价态变化，两个绝缘相被一个金属相分隔。结合先前的研究，我们的结果表明这两个绝缘态本质上可能具有不同拓扑性，并分别起源于 d-p 和 d-f 杂化。本研究所揭示的 YbB6 可调拓扑性质，可能从压力依赖研究的角度阐明拓扑与 4f 电子之间引人入胜的关联。
引用
@article{arxiv.1501.03901,
title = {Pressure-induced quantum phase transitions in topological insulator YbB6},
author = {Yazhou Zhou and Dae-Jeong Kim and Priscila Ferrari Silveira Rosa and Qi Wu and Jing Guo and Shang Zhang and Zhe Wang and Defen Kang and Chao Zhang and Wei Yi and Yanchun Li and Xiaodong Li and Jing Liu and Peiqian Duan and Ming Zi and Xiangjun Wei and Zheng Jiang and Yuying Huang and Yi-feng Yang and Zachary Fisk and Liling Sun and Zhongxian Zhao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.03901},
year = {2018}
}
备注
18 pages, 5 figures