MgB2 在压力下中的声子助力电子拓扑转变
超导电性
2007-05-23 v1
摘要
我们报告了在 He 压力介质下对含有同位素纯 (10)B 和 (11)B 的多晶 MgB2 样品的超导临界温度 Tc 的测量，压力可达 44 GPa。当体积压缩 V/V_0 ~ 0.82 时，我们观察到 Mg(10)B2（在 20 GPa）和 Mg(11)B2（在 15 GPa）的 Tc 体积依赖性出现拐点。E(2g) 模式的压力依赖性在 Mg(10)B2 样品约 20 GPa 处发生突变。E(2g) 声子模的无谐特性和 Tc 压力依赖性的异常被解释为声子助力 Lifshitz 电子拓扑转变的结果。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0106576,
title = {Phonon-assisted electronic topological transition in MgB2 under pressure},
author = {V. V. Struzhkin and A. F. Goncharov and R. J. Hemley and H. K. Mao and G. Lapertot and S. L. Bud'ko and P. C. Canfield},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0106576},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 4 figures