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压力下 LaSn$_3$ 的电子拓扑转变

材料科学 2013-11-07 v1

摘要

在包含自旋轨道耦合的密度泛函理论框架下,研究了同构且同电子数的金属间化合物 LaSn3_3 和 YSn3_3 在压力下的电子结构、费米面及弹性性质。LaSn3_3 的费米面由两片组成,其中第二片非常复杂。在压缩比 V/V0=0.94V/V_0=0.94 附近出现第三片费米面,而在压缩比 V/V0=0.90V/V_0=0.90 处观察到第二片费米面的微小拓扑变化。这可能与 LaSn3_3 中观察到的超导转变温度的反常行为相符,该行为被认为反映了费米面拓扑转变,并伴随着费米能级处态密度的非单调压力依赖性。YSn3_3 未观察到相同行为,其费米面在环境条件下已包含三片,且在压力下拓扑结构保持不变。LaSn3_3 与 YSn3_3 行为差异的原因在于自旋轨道耦合的作用以及费米能级附近 La-4f4f 态与 Sn-pp 态的杂化,这一点通过能带结构计算得到了很好的解释。计算了两种化合物在环境压力及高压下的弹性常数及相关力学性质。两种化合物的弹性常数均随压力增加而增大,并满足压力下的机械稳定性条件。

关键词

引用

@article{arxiv.1311.1361,
  title  = {Electronic topological transition in LaSn$_3$ under pressure},
  author = {Swetarekha Ram and V. Kanchana and G. Vaitheeswaran and A. Svane and S. B. Dugdale and N. E. Christensen},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1311.1361},
  year   = {2013}
}

备注

17 Figures