ThFeAsN 中压力诱导的 Lifshitz 转变

本文给出了 ThFeAsN 超导体的压力依赖结构参数与电子结构。在静水压下结构参数与弹性常数均无异常，这与实验一致。我们从态密度、能带结构与费米面等方面研究了该化合物在不同外压下的电子结构。来自 Fe-d 轨道的费米能级态密度随静水压的变化趋势与超导转变温度（T$_c$）相同。我们还观察到 ThFeAsN 化合物中压力诱导的轨道选择性 Lifshitz 转变，这与其他铁基超导体家族中观察到的 Lifshitz 转变截然不同。ThFeAsN 的费米面，特别是 $\Gamma$ 点处的类空穴费米面，随压力发生显著改变。这种费米面拓扑随压力的改变似乎是 ThFeAsN 超导体中 T$_c$ 随压力降低的主要原因。自旋轨道耦合不影响 Lifshitz 转变，但在较高压力下改变了 $\Gamma$ 点附近能带的能量顺序。