Bi$_2$Te$_3$的朗道能级光谱研究
介观与纳米尺度物理
2020-08-11 v2 材料科学
摘要
本文报道了在外延生长于BaF衬底上的拓扑绝缘体BiTe薄膜上、磁场高达34 T条件下进行的朗道能级光谱研究。所观测到的响应与直接带隙半导体的图像一致，其中载流子非常类似于有质量狄拉克粒子。基本带隙在低温下达到~meV，且不在三角轴上，因而呈现六重或十二重谷简并。值得注意的是，我们的磁光数据未显示任何能带反转。这表明基本带隙相对远离存在深刻反转并导致BiTe类相对论表面态的点。
引用
@article{arxiv.2004.13565,
title = {Landau level spectroscopy of Bi$_2$Te$_3$},
author = {I. Mohelsky and A. Dubroka and J. Wyzula and A. Slobodeniuk and G. Martinez and Y. Krupko and B. A. Piot and O. Caha and J. Humlicek and G. Bauer and G. Springholz and M. Orlita},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.13565},
year = {2020}
}
备注
12 pages, 11 figures, to be published in Phys. Rev. B