拓扑绝缘体中的朗道能级
介观与纳米尺度物理
2013-05-30 v1
摘要
最近的两个实验成功地在拓扑绝缘体Bi2Se3的隧穿谱中观测到了朗道能级。为了模拟扫描隧道显微镜尖端对朗道能级的影响，我们在存在局域静电势的情况下求解了二维狄拉克方程。我们发现，STM尖端不仅移动了朗道能级，而且在参数的现实选择下抑制了朗道能级的负分支。
引用
@article{arxiv.1107.0827,
title = {Landau levels in a topological insulator},
author = {P. Schwab and M. Dzierzawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.0827},
year = {2013}
}
备注
4 pages