门控Bi2Se3中太赫兹法拉第角的巨大平台
强关联电子
2013-04-19 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了在覆盖In2Se3的外延Bi2Se3薄膜上的门控太赫兹法拉第角测量。在法拉第角的实部中观察到一个平台，其起始栅极电压对应于表面无能带弯曲，并持续到积累区。该平台比低频极限下单个朗道能级预期的步长平坦两个数量级，步长以精细结构常数为单位量子化。在8 T下，该平台跨越的栅极电压范围对应的电子密度超过量子通量密度的14倍。法拉第角的虚部和透射测量都表明存在与平台相关的耗散离轴和纵向电导通道。
引用
@article{arxiv.1209.1138,
title = {Giant plateau in the THz Faraday angle in gated Bi2Se3},
author = {Gregory S. Jenkins and Andrei B. Sushkov and Don C. Schmadel and M. -H. Kim and Matthew Brahlek and Namrata Bansal and Seongshik Oh and H. Dennis Drew},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.1138},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 2 figures