拓扑绝缘体Bi2Se3的太赫兹Kerr效应与反射率测量
强关联电子
2010-09-29 v2 材料科学
摘要
我们报告了首次在拓扑绝缘体Bi2Se3体单晶上进行的太赫兹Kerr效应测量。在T=10K和高达8T的磁场下，利用线偏振和圆偏振入射辐射，在5.24meV频率下测量了实部和虚部Kerr角以及反射率。单流体自由载流体响应无法描述线形。具有小质量和惊人大的相关谱权重的表面态定量拟合了所有数据。然而，载流子浓度不均匀性尚未被排除。一种采用栅极的方法被证明有望分离表面效应和体效应。
引用
@article{arxiv.1007.4482,
title = {Terahertz Kerr and Reflectivity Measurements on the Topological Insulator Bi2Se3},
author = {G. S. Jenkins and A. B. Sushkov and D. C. Schmadel and N. P. Butch and P. Syers and J. Paglione and H. D. Drew},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.4482},
year = {2010}
}
备注
10 pages, 5 figures