拓扑绝缘体 Bi2Se3 中能带弯曲的直接观测
材料科学
2015-08-17 v1
摘要
表面能带弯曲显著调节拓扑绝缘体中的表面能带结构和输运性质。我们利用体敏感角分辨硬 X 射线光电子能谱 (HAXPES) 直接测量了 Bi2Se3 上的能带弯曲。我们追踪了 Bi 和 Se 芯态能量偏移的深度依赖性。我们估计能带弯曲延伸至体相内部约 20 nm，幅度为 0.23--0.26 eV，这与先前从该材料表面态结合能推导出的分布一致。
引用
@article{arxiv.1307.8053,
title = {Direct observation of band bending in topological insulator Bi2Se3},
author = {C. E. ViolBarbosa and Chandra Shekhar and Binghai Yan and S. Ouardi and G. H. Fecher and C. Felser},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.8053},
year = {2015}
}