Bi2Se3 元素分辨价电子结构中的轨道贡献
材料科学
2021-12-15 v3
摘要
本工作中，我们研究了拓扑绝缘体（TI）Bi2Se3 的体带结构，并利用驻波激发硬 X 射线光电子能谱（SW-HAXPES）确定了 Bi 和 Se 轨道态对价带的贡献。该 SW 技术可提供元素分辨信息，并提取 Bi2Se3 价带中 Bi 和 Se 各自的贡献。与密度泛函理论（DFT）计算（LDA 和 GW）的比较表明，Bi 6s、Bi 6p 和 Se 4p 态在 Bi2Se3 的 HAXPES 价带中占主导。这些发现为研究此类拓扑绝缘体的元素分辨带结构与轨道贡献铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2108.01833,
title = {Orbital contributions in the element-resolved valence electronic structure of Bi2Se3},
author = {Cheng-Tai Kuo and Shih-Chieh Lin and Jean-Pascal Rueff and Zhesheng Chen and Irene Aguilera and Gustav Bihlmayer and Lukasz Plucinski and Ismael L. Graff and Giuseppina Conti and Ivan A. Vartanyants and Claus M. Schneider and Charles S. Fadley},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.01833},
year = {2021}
}
备注
22 pages, 5 figures