拓扑绝缘体 Bi2Te3 中的准粒子带隙
材料科学
2015-06-17 v1
摘要
我们呈现了一项关于三维拓扑绝缘体 Bi2Te3 中构成体带隙边缘态色散的理论研究。在密度泛函理论框架内，我们分析了原子位置在现有实验数据误差范围内变化以及交换关联泛函近似选择对体带隙及价带与导带极值点在 k 空间位置的影响。对于每组具有不同交换关联泛函的原子位置，我们展示了在单次 GW 近似下计算的多体修正如何影响 Bi2Te3 电子结构的上述特征。因此，我们也阐明了在碲化铋情形下单次 GW 结果对参考单粒子能带结构的敏感程度。我们发现，对于这种拓扑绝缘体，GW 修正增大了基本带隙，并且对于特定的原子位置和参考能带结构，其数值与实验结果高度吻合。
引用
@article{arxiv.1309.7911,
title = {The quasiparticle band gap in the topological insulator Bi2Te3},
author = {I. A. Nechaev and E. V. Chulkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.7911},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 6 figures, 5 tables