Bi$_2$Te$_3$的体能带结构
材料科学
2014-08-13 v1
摘要
通过角分辨光电子能谱确定了 BiTe的体能带结构，并将其与第一性原理计算进行了比较。我们在全电子全势线性缀加平面波（FLAPW）形式体系内，使用密度泛函理论的局域密度近似（LDA）和单次 近似进行了计算，并充分考虑了自旋轨道耦合。与 LDA 相比，准粒子效应对 \bite~的能带结构产生了显著变化。我们在 LDA 和 结果存在明显差异的光谱区域对实验结果与计算结果进行了比较。总体而言，发现与 符合得更好，突显了多体效应在该类拓扑绝缘体能带结构中的重要性。
引用
@article{arxiv.1403.3050,
title = {Bulk Band Structure of Bi$_2$Te$_3$},
author = {Matteo Michiardi and Irene Aguilera and Marco Bianchi and Vagner Eustáquio de Carvalho and Luiz Orlando Ladeira and Nayara Gomes Teixeira and Edmar Avellar Soares and Chiristoph Friedrich and Stefan Blügel and Philip Hofmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.3050},
year = {2014}
}
备注
8 pages, 5 Figures