体绝缘拓扑绝缘体Bi2-xSbxTe3-ySey的功函数
介观与纳米尺度物理
2016-09-21 v1 强关联电子
摘要
最近发现的体绝缘拓扑绝缘体(TI) Bi2-xSbxTe3-ySey为实现TI器件的实际应用铺平了道路。要实现基于TI的器件，需要将TI与金属接触。由于界面处的能带弯曲主导着器件的特性，了解TI的功函数至关重要。我们通过高分辨率光电子能谱确定了Bi2-xSbxTe3-ySey中功函数的组分依赖性。获得的功函数值(4.95-5.20 eV)随组分呈现系统性变化，很好地追踪了角分辨光电子能谱所观测到的表面化学势的能量移动。当前结果为开发基于TI的电子器件提供了有用的指导。
引用
@article{arxiv.1606.07933,
title = {Work function of bulk-insulating topological insulator Bi2-xSbxTe3-ySey},
author = {Daichi Takane and Seigo Souma and Takafumi Sato and Takashi Takahashi and Kouji Segawa and Yoichi Ando},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.07933},
year = {2016}
}
备注
4pages, 2 figures