Ag₃AuTe₂的高压表征：应变诱导带隙调控的启示
材料科学
2024-06-21 v2
摘要
最近的能带结构计算表明，手性半导体Ag₃AuTe₂在施加负应变时有可能将带隙调至零。在本研究中，我们报道了多晶Ag₃AuTe₂的合成，并研究了其输运性质、光学性质以及压力兼容性。输运测量揭示了Ag₃AuTe₂的半导体行为，具有高电阻率和0.2 eV的激活能Ea。通过漫反射测量确定的光学带隙约为实验Ea的三倍。尽管存在差异，两个实验带隙均落在我们采用PBE和mBJ方法的第一性原理DFT计算预测的带隙范围内。此外，我们的DFT模拟预测在压缩应变下带隙逐渐变窄，预计在相对于晶格参数-4%的应变下完全闭合。为评估在此类大应变下带隙可调性的可行性，通过原位高压X射线衍射研究了Ag₃AuTe₂在高达47 GPa下的高压行为。超过4%的机械压缩导致压力诱导的结构相变，表明在极端压缩条件下存在显著带隙调制的可能性。
引用
@article{arxiv.2405.19517,
title = {High-pressure characterization of Ag$_3$AuTe$_2$: Implications for strain-induced band tuning},
author = {Juyeon Won and Rong Zhang and Cheng Peng and Ravhi Kumar and Mebatsion S. Gebre and Dmitry Popov and Russell J. Hemley and Barry Bradlyn and Thomas P. Devereaux and Daniel P. Shoemaker},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.19517},
year = {2024}
}