硅烯能带结构的畸变与电场调控
材料科学
2015-06-17 v2
摘要
采用具有局域密度近似交换关联泛函的密度泛函理论来调控单层硅烯的电子能带结构。自由站立单层的内聚能随外加电场增加（随畸变减小）。当 Si 原子间的键角大于 时，硅烯中的电子表现为 Dirac 费米子。大畸变会破坏硅烯的电子结构，使其不再是一种半金属材料，而畸变的硅烯表现得像 掺杂系统。电场在布里渊区 点附近打开带隙，且带隙随电场增大而增加。Si 原子间的键角是决定硅烯中 Dirac 锥存在与否的关键因素。
引用
@article{arxiv.1310.8171,
title = {Distortion and electric field control of band structure of silicene},
author = {Gul Rahman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.8171},
year = {2015}
}
备注
Europhysics Lett. Accepted (2014)