基于 $\mu$-ARPES 的少层黑磷电子结构
介观与纳米尺度物理
2023-07-27 v1 材料科学
摘要
黑磷（BP）因其高迁移率和厚度依赖的直接带隙而在二维（2D）半导体中脱颖而出。然而，迄今为止，实验仍无法获取超薄 BP 的准粒子能带结构。在此，我们使用最近开发的基于激光的微聚焦角分辨光电子能谱（-ARPES）系统，从实验上确定了 2-9 层 BP 的电子结构。我们的测量揭示了在能量上偏离常规半导体量子阱中观测到的标度规律的各向异性量子化子能带阶梯。我们量化了有效质量的各向异性，并确定了普适的紧束缚参数，这些参数为所有厚度下的电子结构提供了准确的描述。
引用
@article{arxiv.2306.00749,
title = {Electronic structure of few-layer black phosphorus from $\mu$-ARPES},
author = {Florian Margot and Simone Lisi and Irène Cucchi and Edoardo Cappelli and Andrew Hunter and Ignacio Gutiérrez-Lezama and KeYuan Ma and Fabian von Rohr and Christophe Berthod and Francesco Petocchi and Samuel Poncé and Nicola Marzari and Marco Gibertini and Anna Tamai and Alberto F. Morpurgo and Felix Baumberger},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.00749},
year = {2023}
}
备注
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