黑砷磷：具有高度可调组成与性质的层状各向异性红外半导体
材料科学
2015-05-27 v1
摘要
具有多样性质的二维（2D）层状材料在过去十年中引起了极大兴趣。迄今发现的层状材料已覆盖一个宽泛却不连续的电磁谱范围，从半金属性石墨烯、绝缘性氮化硼，到带隙从中红外到可见光的半导体。在此，我们引入新的层状半导体——黑砷磷（b-AsP），其化学组成及电子和光学性质高度可调。输运与红外吸收研究表明，b-AsP 具有可调带隙（范围 0.3 至 0.15 eV）的半导体特性。这些带隙落入长波红外（LWIR）区间，且其他层状材料难以达到。此外，偏振分辨红外吸收与拉曼研究表明 b-AsP 的面内各向异性性质。这类层状 b-AsP 材料将二维层状材料所覆盖的电磁谱扩展至 LWIR 区间，并可能在未来全二维层状材料基器件中找到独特应用。
引用
@article{arxiv.1505.07061,
title = {Black Arsenic-Phosphorus: Layered Anisotropic Infrared Semiconductors with Highly Tunable Compositions and Properties},
author = {Bilu Liu and Marianne Köpf and Ahmad A. Abbas and Xiaomu Wang and Qiushi Guo and Yichen Jia and Fengnian Xia and Richard Weihrich and Frederik Bachhuber and Florian Pielnhofer and Han Wang and Rohan Dhall and Stephen B. Cronin and Mingyuan Ge and Xin Fang and Tom Nilges and Chongwu Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.07061},
year = {2015}
}
备注
31 pages, 13 figures (4 in main text and 9 in Supporting Information), 2 Tables. To appear in Advanced Materials, 2015