掺杂半金属HfTe$_2$的体态与表面电子态
材料科学
2020-07-15 v2
摘要
层状材料的碱金属掺杂已成为ARPES实验中常用策略。然而，此类条件下结构与电子层面究竟发生什么仍存争议。本文对1T-HfTe（过渡金属二硫属化物家族的典型半金属）进行系统研究。利用光子能量依赖的角分辨光电子能谱（ARPES），我们探究了该材料随钾（K）沉积量变化的电子结构。由k图可见，电子掺杂后出现二维色散能带，且能带愈发锐利，与最表层的波函数受限一致。在最高掺杂情形下，浮现出类单层的电子结构，推测为碱金属插层所致。此处通过将最表层价带移至 之下，我们可直接测得约0.2 eV的能带交叠。然而，即便经大量掺杂，三维体态仍对谱有贡献。我们的工作为日益流行的碱金属掺杂半金属ARPES研究提供了参考基准。
引用
@article{arxiv.2004.02826,
title = {Bulk and surface electronic states in the dosed semimetallic HfTe$\boldsymbol{_2}$},
author = {Zakariae El Youbi and Sung Won Jung and Saumya Mukherjee and Mauro Fanciulli and Jakub Schusser and Olivier Heckmann and Christine Richter and Ján Minár and Karol Hricovini and Matthew D. Watson and Cephise Cacho},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.02826},
year = {2020}
}