新型多孔氮化铝单层结构：第一性原理研究
材料科学
2020-04-22 v1
摘要
通过在密度泛函理论内进行第一性原理计算，我们探索了多孔 AlN 单层材料的可能结构与各种性质。确定了两类多孔 AlN 单层，声子色散谱与第一性原理分子动力学模拟表明其结构稳定。我们进一步表明，这些 AlN 多孔单层具有明确的多孔纳米结构甚至更高的比表面积，即可与石墨烯相比，并能在高温下均匀保持。此外，两种多孔单层均表现出半导体性质，间接带隙分别为 2.89 eV 和 2.86 eV。而且，此类多孔单层的电子结构可通过应变调控。当施加双轴应变时，多孔 AlN 单层的带隙经历间接-直接转变。适度的 9% 压缩即可触发该带隙转变。这些结果表明，多孔 AlN 单层未来可能潜在用于光电子应用以及作为底层催化剂。
引用
@article{arxiv.2001.06390,
title = {Novel Porous Aluminum Nitride Monolayer Structures A First-principles Study},
author = {Yanwei Luo and Jiahui Hu and Yu Jia},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.06390},
year = {2020}
}