少层锑烯的电学性质
材料科学
2021-08-12 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
锑烯——单层锑原子——及其少层形式是二维单元素材料家族的最新成员。关于其卓越性质的众多预测和实验证据，包括（光）电子、能源或生物医学等方面，以及其在环境条件下的稳健性，引起了科学界的关注。然而，目前仍缺乏其电学性质的实验证据。在此，我们通过光发射电子显微镜、开尔文探针力显微镜和输运测量，对机械剥离的不同厚度（约 2-40 nm）的少层（FL）锑烯薄片的电子性质进行了表征，这使我们能够在环境条件下估算出约 1200 sq 的方块电阻和约 150 cmVs 的迁移率，且与薄片厚度无关。另外，我们的理论计算表明，拓扑保护表面态（TPSS）应在 FL 锑烯的电子性质中发挥关键作用，这支持了我们的实验结果。我们期待，由于 FL 锑烯简单的结构及其在环境条件下的显著稳定性，我们的工作将引发对 FL 锑烯中 TPSS 的进一步实验研究。
引用
@article{arxiv.2107.11218,
title = {Few-layer antimonene electrical properties},
author = {Pablo Ares and Sahar Pakdel and Irene Palacio and Wendel S. Paz and Maedeh Rassekh and David Rodriguez-San Miguel and Lucia Aballe and Michael Foerster and Nerea Ruiz del Arbol and Jose Angel Martin-Gago and Felix Zamora and Julio Gomez-Herrero and Juan Jose Palacios},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.11218},
year = {2021}
}