一种具有理想带隙与超高载流子迁移率的新型二维功能材料
材料科学
2022-05-09 v1
摘要
具有直接且适中带隙和超高载流子迁移率的二维(2D)半导体是纳米电子应用亟需的功能材料。在此，我们预测单层CaP3是一种新型二维功能材料，其不仅具有1.15 eV的直接带隙(基于HSE06计算)，而且具有高达19930 cm2 V-1 s-1的极高电子迁移率，可与单层黑磷烯相比拟。更值得注意的是，与双层黑磷烯载流子迁移率相较单层急剧降低相反，CaP3双层具有比单层更高的电子迁移率(22380 cm2 V-1 s-1)。二维CaP3的带隙可通过控制堆叠CaP3层数在1.15至0.37 eV(HSE06值)的宽范围内调控。除新颖电子性质外，二维CaP3还在整个可见光范围内表现出光吸收。这些结合的新型电子、电荷迁移率和光学性质使二维CaP3成为未来纳米电子与光电子应用中令人瞩目的功能材料。
引用
@article{arxiv.1803.00289,
title = {A New Two-Dimensional Functional Material with Desirable Bandgap and Ultrahigh Carrier Mobility},
author = {Ning Lu and Zhiwen Zhuo and Hongyan Guo and Ping Wu and Wei Fa and Xiaojun Wu and Xiao Cheng Zeng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.00289},
year = {2022}
}