通过氧化在双层硅烯中同时实现适中带隙与高载流子迁移率
介观与纳米尺度物理
2020-12-02 v1
摘要
同时具备高载流子迁移率、适中带隙以及环境稳定性的半导体对现代工业极为重要，且硅基半导体材料能与先前的硅基电子元件良好匹配。因此，由于当今此类材料的缺乏，寻找这类硅基半导体一直是一个热门课题。在此，借助密度泛函理论，我们发现氧化双层硅烯表现出高载流子迁移率，并具有1.02 eV的适中直接带隙。高载流子迁移率源于大π键的保留，而适中带隙则由悬空Si 3p键的饱和打开。源于强Si-O与Si-Si键的形成，该样品表现出强热力学与动力学稳定性。我们的工作表明氧化双层硅烯在现代电子领域具有诸多潜在应用。
引用
@article{arxiv.2005.07517,
title = {Moderate bandgap and high carrier mobility simultaneously realized in bilayer silicene by oxidation},
author = {Yan Qian and Erjun Kan and Kaiming Deng and Haiping Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.07517},
year = {2020}
}