单层MoSe₂中密度依赖的自旋磁化率和有效质量
介观与纳米尺度物理
2025-05-05 v1 材料科学
摘要
原子级薄的MoSe₂是研究量子现象的有前景平台，因其具有较大的有效质量、高晶体质量和强自旋轨道耦合。在本工作中，我们展示了采用铋接触的三栅器件设计，能够在低电子密度下实现可靠的欧姆接触，最大霍尔迁移率约为22,000 cm²/Vs。低温输运测量展示了金属-绝缘体转变和密度依赖的量子振荡序列。观察到增强的自旋磁化率和密度依赖的有效质量，归因于相互作用效应和能谷极化。这些发现确立了单层MoSe₂作为进一步探索相互作用驱动量子态的多功能平台。
引用
@article{arxiv.2502.10972,
title = {Density-dependent spin susceptibility and effective mass in monolayer MoSe2},
author = {Chang Liu and Tongtong Jia and Zheng Sun and Yu Gu and Fan Xu and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Jinfeng Jia and Shiyong Wang and Xiaoxue Liu and Tingxin Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.10972},
year = {2025}
}