双栅极石墨烯基器件
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v2 材料科学
摘要
我们讨论了通过双栅极单层和少层石墨烯器件的输运。这种器件配置已被用于研究通过施加外部垂直电场调制能带结构，这是少层石墨烯系统的一个独特性质。我们讨论了基于电子束蒸发SiO的顶栅结构制备中重要的技术细节。我们进行了一项统计研究，表明——与预期相反——电子束蒸发薄SiO薄膜的击穿场与热生长氧化层相当。我们发现，只有在氧化物沉积后直接进行顶电极金属化，而不使SiO层暴露于空气的情况下，才能在蒸发的SiO中获得高击穿场。
引用
@article{arxiv.0905.1221,
title = {Double-gated graphene-based devices},
author = {S. Russo and M. F. Craciun and M. Yamamoto and S. Tarucha and A. F. Morpurgo},
journal= {arXiv preprint arXiv:0905.1221},
year = {2015}
}
备注
Replaced with revised version. To appear on New Journal of Physics