六方氮化硼上化学气相沉积组装的石墨烯场效应晶体管
材料科学
2015-05-28 v2
摘要
我们研究了由化学气相沉积（CVD）组装的单层石墨烯的关键电学性质，以及支撑衬底材料对其产生的影响。分别将碳沟道直接置于六方氮化硼（h-BN）和SiO2上，制备了石墨烯场效应晶体管（GFET）。与在SiO2上相比，在h-BN上的小信号跨导（gm）和有效载流子迁移率（{\mu}eff）分别提高了8.5倍和4倍。与SiO2上剥离石墨烯的GFET相比，在h-BN衬底上CVD石墨烯器件所测得的gm和{\mu}eff表现出相当的值。该实验证明了采用h-BN作为大面积碳电子学平台材料的潜力。
引用
@article{arxiv.1105.1485,
title = {Chemical Vapor Deposition-Assembled Graphene Field-Effect Transistor on Hexagonal Boron Nitride},
author = {Edwin Kim and Tianhua Yu and Eui Sang Song and Bin Yu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.1485},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 4 figures