强磁场下六方氮化硼衬底上的刻蚀石墨烯单电子晶体管
介观与纳米尺度物理
2015-06-17 v1
摘要
我们报道了在强磁场下，于六方氮化硼 (hBN) 上制备和电学表征了各种尺寸的刻蚀石墨烯单电子晶体管 (SETs)。电子输运测量显示，与 SiO2 上的石墨烯 SETs 相比，其性能略有改善。特别是，与 SiO2 上 SETs 的报道结果相比，hBN 上的 SETs 在高达 9T 的垂直磁场影响下更为稳定。这一结果表明 hBN 上 SETs 的表面无序势降低，这可能是迈向清洁且更可控石墨烯量子点 (QDs) 的重要一步。
引用
@article{arxiv.1311.4785,
title = {Etched graphene single electron transistors on hexagonal boron nitride in high magnetic fields},
author = {A. Epping and S. Engels and C. Volk and K. Watanabe and T. Taniguchi and S. Trellenkamp and C. Stampfer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.4785},
year = {2015}
}
备注
To be published in Phys. Status Solidi B