六方氮化硼上的刻蚀石墨烯量子点
介观与纳米尺度物理
2013-08-16 v1
摘要
我们报道了在六方氮化硼 (hBN) 和 SiO2 上制备并表征了具有不同岛直径的刻蚀石墨烯量子点 (QDs)。我们在宽能量范围内对库仑峰间距进行了统计分析。对于 hBN 上的石墨烯 QDs，归一化峰间距分布的标准差随 QD 直径的增加而减小，而对于 SiO2 上的 QDs 则未观察到直径依赖性。此外，hBN 上的 QDs 在高达 9T 的垂直磁场影响下更为稳定。这两项结果均表明，hBN 上的石墨烯 QDs 中由衬底诱导的无序势显著降低。
引用
@article{arxiv.1308.2161,
title = {Etched graphene quantum dots on hexagonal boron nitride},
author = {S. Engels and A. Epping and C. Volk and S. Korte and B. Voigtländer and K. Watanabe and T. Taniguchi and S. Trellenkamp and C. Stampfer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.2161},
year = {2013}
}