六方氮化硼衬底上的碳纳米管量子点

A. Baumgartner; G. Abulizi; K. Watanabe; T. Taniguchi; J. Gramich; C. Schoenenberger

doi:10.1063/1.4890600

六方氮化硼衬底上的碳纳米管量子点

介观与纳米尺度物理 2014-07-21 v2

作者: A. Baumgartner , G. Abulizi , K. Watanabe , T. Taniguchi , J. Gramich , C. Schoenenberger

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

我们报道了首例以六方氮化硼 (hBN) 薄片为衬底的碳纳米管 (CNT) 量子点的制备细节及其低温特性。我们证明了通过标准化学气相沉积法可在 hBN 上生长 CNT，并且在使用优化参数时，可采用标准扫描电子显微镜成像和光刻技术来制备纳米电子结构。这一概念验证为在 hBN 上构建具有更可预测、可重复特性及电子稳定性的更复杂器件铺平了道路。

关键词

碳纳米管量子点六方氮化硼化学气相沉积纳米电子结构低温特性扫描电子显微镜光刻

引用

@article{arxiv.1406.0897,
  title  = {Carbon nanotube quantum dots on hexagonal boron nitride},
  author = {A. Baumgartner and G. Abulizi and K. Watanabe and T. Taniguchi and J. Gramich and C. Schoenenberger},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1406.0897},
  year   = {2014}
}

备注

4 pages, 4 figures

六方氮化硼衬底上的碳纳米管量子点

摘要

关键词

引用

备注

相关论文