氮化硼纳米管的根部生长：实验与从头算模拟
化学物理
2018-09-10 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们在仅存在硼和氮物种的电弧中合成了氮化硼纳米管 (BNNTs)，未使用过渡金属。我们发现 BNNTs 通常附着在纯硼纳米颗粒上，这表明根部生长是其形成的可能机制。为了进一步深入了解这一过程，我们通过从头算分子动力学模拟研究了液态硼滴表面 BNNTs 根部生长的关键机制。我们发现氮原子主要驻留在液滴表面，在 2400 K 以下它们组织形成氮化硼岛。为了最小化与下方液态粒子的接触，这些岛呈现非平面构型，这些构型很可能是帽状结构热成核的前驱体。一旦形成，这些帽状结构是稳定的，并且可以很容易在其底部结合氮和硼原子，从而进一步生长。我们的模拟支持 BNNTs 的根部生长机制，并提供了液态硼所起活跃作用的全面证据。
引用
@article{arxiv.1803.11374,
title = {Root-Growth of Boron Nitride Nanotubes: Experiments and \textit{Ab Initio} Simulations},
author = {Biswajit Santra and Hsin-Yu Ko and Yao-Wen Yeh and Fausto Martelli and Igor Kaganovich and Yevgeny Raitses and Roberto Car},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.11374},
year = {2018}
}
备注
supporting inofrmation inlcuded