外加电场下氮化硼片上含原子杂质的碳纳米管
介观与纳米尺度物理
2015-07-22 v1 材料科学
摘要
我们进行了第一性原理计算，以研究在存在外加电场的情况下，单层六方氮化硼 (hBN) 片上金属掺杂的 (10, 0) 碳纳米管 (CNTs) 的结构与电子性质。我们考虑 K、Cl 和 Ni 原子作为掺杂剂，以研究 CNT 的电子性质对掺杂极性和浓度的依赖关系。电场强度在 -0.2 V/\AA 到 +0.2 V/\AA 之间变化，以探索外加电场对电子结构的影响。尽管 hBN 片的电子能带根据场强发生了改变，但在所考虑的场强下，其在价带或导带中的电子态并未触及 Fermi 能级。我们得出结论，hBN 作为衬底并未改变 CNT 的电子结构，从而与基于 SiO 等传统衬底材料的器件相比，提高了器件性能。
引用
@article{arxiv.1301.4812,
title = {Carbon nanotubes with atomic impurities on boron nitride sheets under applied electric fields},
author = {Seoung-Hun Kang and Gunn Kim and Young-Kyun Kwon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.4812},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures