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电场诱导的氮化硼纳米管低温电子比热

介观与纳米尺度物理 2015-11-30 v1

摘要

我们使用紧束缚模型研究横向电场对扶手椅型和锯齿型氮化硼纳米管(ABNNTs 和 ZBNNTs)低温电子比热(CvC_v)的影响。对于宽禁带 BNNTs,电场可显著调节其能量色散并将许多电子态移至费米能附近。在临界电场(FcF_c)下,态密度显示出特殊峰结构,且零场下消失的比热跃变为巨大比热。在 FcF_c 下,CvC_v 的值与声子比热相当,并揭示出对温度的强烈非线性依赖。临界场强和巨大比热的值与纳米管几何结构密切相关。在存在 FcF_c 时,额外的纵向磁通可在低温下再次增强 ZBNNTs 的 CvC_v 值,而对 ABNNTs 则并非总是如此。

关键词

引用

@article{arxiv.1511.08442,
  title  = {Field-induced low-temperature electronic specific heat of boron nitride nanotubes},
  author = {Feng-Lin Shyu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1511.08442},
  year   = {2015}
}

备注

18 pages, 5 figures