横向电场下缺陷氮化硼纳米管的电子结构
材料科学
2008-07-11 v1
摘要
我们在密度泛函理论框架下，研究了横向电场作用下某些缺陷氮化硼纳米管（BNNTs）的电子结构。研究对象包括具有反位缺陷、碳取代、单空位以及 Stone-Wales 5775 缺陷的 (16,0) BNNTs。在横向电场作用下，缺陷 BNNTs 的带隙减小，这与 pristine（本征）纳米管的情况相似。由于电场在缺陷位点诱导的静电势移不同，缺陷态的能级随横向电场方向的变化而变化。因此，除了电子结构和光学性质工程外，横向电场还可用于识别 BNNTs 中的缺陷位置。
引用
@article{arxiv.0804.2171,
title = {Electronic structures of defective BN nanotubes under transverse electric fields},
author = {Shuanglin Hu and Zhenyu Li and X. C. Zeng and Jinlong Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:0804.2171},
year = {2008}
}