折叠六方氮化硼的电子结构
材料科学
2022-11-21 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
折叠区域在多种基于六方氮化硼（h-BN）的块体和纳米结构材料中普遍存在。折叠的 h-BN 层中出现了两类结构改变：折叠边缘处的局部曲率，以及层间剪切导致重叠平坦区域的堆垛方式改变。本文通过密度泛函理论模拟，讨论了这些结构改变对原始单层膜基态电子结构的影响。我们表明，取决于折叠取向，重叠区域可能呈现不同的堆垛构型，并随之引起本征带隙的变化；折叠区域处进一步发生带隙改变。最终，BN 折叠单层的整体电子结构可被描述为位于弯曲与平坦重叠区域的两类宽禁带半导体之间的 II 型结。
引用
@article{arxiv.2211.10125,
title = {Electronic structure of folded hexagonal boron nitride},
author = {Anthony Impellizzeri and Michele Amato and Chris P. Ewels and Alberto Zobelli},
journal= {arXiv preprint arXiv:2211.10125},
year = {2022}
}