空位修饰六方氮化硼磁态的应变工程
介观与纳米尺度物理
2015-03-24 v1 材料科学
摘要
具有可调磁态的新型材料在下一代自旋电子器件的发展中发挥着重要作用。在本文中，我们利用密度泛函理论计算研究了双轴应变对空位修饰六方氮化硼 (h-BN) 单层电子性质的作用。我们发现，应变可导致具有硼空位或双空位的 h-BN 单层发生磁态切换。我们的发现为低维自旋电子器件的运行提供了一条新途径。
引用
@article{arxiv.1305.5861,
title = {Strain engineering of magnetic states of vacancy-decorated hexagonal boron nitride},
author = {Bin Ouyang and Jun Song},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.5861},
year = {2015}
}
备注
13 pages, 3 figures