氮化硼单层：一种应变可调纳米传感器
介观与纳米尺度物理
2013-09-13 v1 材料科学
摘要
利用密度泛函理论研究了面内三轴应变对六方氮化硼片电子性质的影响。与石墨烯不同，三轴应变将氮化硼片的分子轨道局域在其中心，具体取决于施加应变的方向。所提出的将靠近费米能级的分子轨道局域在氮化硼片中心的技术可用于实现工程化的纳米传感器，例如选择性检测气体分子。我们表明，与未应变的片相比，应变片的中心部分吸附极性分子更强。
引用
@article{arxiv.1309.3056,
title = {Boron Nitride Monolayer: A Strain-Tunable Nanosensor},
author = {M. Neek-Amal and J. Beheshtian and A. Sadeghi and K. H. Michel and F. M. Peeters},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.3056},
year = {2013}
}
备注
20 pages, 9 figures