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硼酸酯纳米锥的电子结构

材料科学 2007-05-23 v1

摘要

我们应用第一性原理计算研究不同位移角 θ=nπ/3\theta=n\pi/3 的硼酸酯纳米锥的电子结构。具有奇数 nn 值的纳米锥存在反位边界,导致其工作函数相对于硼酸酯bulk值降低最高可达2 eV。相比之下,具有偶数 nn 值的纳米锥不存在此类缺陷,其工作函数与硼酸酯bulk值非常相似。这些结果将对硼酸酯纳米锥和纳米管的场发射性能具有重要影响。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0409558,
  title  = {Electronic structure of nanocones of boron nitrite},
  author = {Sergio Azevedo and Mario S. C. Mazzoni and H. Chacham and R. W. Nunes},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0409558},
  year   = {2007}
}

备注

9 pages in preprint format + 4 figure files