二维氮化硼中的位错与晶界
材料科学
2012-08-02 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
通过第一性原理计算，在二维氮化硼（h-BN）中发现了一种新的位错结构——方 - 八元环对（4|8）。其能量低于相应的五元环 - 七元环对（5|7），后者包含不利的同种元素键。基于位错结构，研究了 BN 中的晶界（GB）。取决于晶粒的倾斜角，晶界可以是极性的（富 B 或富 N），由 5|7 环构成；也可以是非极性的，由 4|8 环构成。极性晶界带有净电荷，富 B 处为正，富 N 处为负。与通常阻碍电子传输的石墨烯晶界不同，极性晶界具有比完美 BN 更小的带隙，这可能预示着有趣的电子学和光学应用。
引用
@article{arxiv.1208.0052,
title = {Dislocations and Grain Boundaries in Two-Dimensional Boron Nitride},
author = {Yuanyue Liu and Xiaolong Zou and Boris I. Yakobson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.0052},
year = {2012}
}