纳米尺度硼氮锥中反相线缺陷的稳定性
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我们使用第一性原理计算方法研究了纳米尺度硼氮圆锥薄片的稳定性。我们的结果表明，包含 B-B 或 N-N 键的反相边界（包含这些键的线缺陷）的圆锥比没有反相边界的圆锥更稳定。我们还发现，对反相边界掺杂碳可以增强其稳定性，并导致能隙中出现局域态。我们所考虑的结构中，能形成能最小的是一种含碳修饰反相边界的圆锥，其在费米能级附近出现约 0.5 eV 的自旋分裂。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0409512,
title = {Stability of antiphase line defects in nanometer-sized boron-nitride cones},
author = {Sergio Azevedo and Mario S. C. Mazzoni and Ricardo W. Nunes and H. Chacham},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0409512},
year = {2009}
}
备注
5 two-column pages with 2 figures Accepted for publication in Physical Review B (vol 70, 15 Nov.)