声子介导相互作用对原子级薄氮化硼能隙的修饰
介观与纳米尺度物理
2012-12-03 v2 强关联电子
摘要
本文提出了一种理论，描述通过可极化衬底中的声子或氮化硼（BN）平面内的声子介导的吸引相互作用，对原子级薄氮化硼能隙的修饰。求解了能隙方程，发现对于无量纲电子 - 声子耦合常数 \lambda=1，能隙增强幅度高达 70%，这表明实测 BN 能隙中可能有一部分源于声子机制。
引用
@article{arxiv.1204.5412,
title = {Gap modification of atomically thin boron nitride by phonon mediated interactions},
author = {J. P. Hague},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.5412},
year = {2012}
}