利用顶层石墨烯作为介电原子层沉积过程中的牺牲保护层
材料科学
2014-03-18 v1
摘要
我们研究了通过远程等离子体增强原子层沉积 (PE-ALD) 在介电质 (HfO2 和 Al2O3) 下层石墨烯的结构损伤。在双层石墨烯上生长介电薄膜并未对底层石墨烯造成显著损伤。基于拉曼光谱，我们证明底层石墨烯具有单层石墨烯的显著特征。在 PE-ALD 的初始半周期中，上层石墨烯与金属前驱体反应，形成均匀的成核岛或活性金属碳化物层。在单层介电覆盖后，底层石墨烯获得了额外的保护。上层石墨烯作为牺牲层，不仅促进了介电质在石墨烯上的附着，还保护了底层石墨烯的晶格对称性。我们的结果表明，双层石墨烯允许在介电质的 ALD 过程中控制/限制缺陷程度，可能是构建场效应晶体管和传感器件的良好起始材料。
引用
@article{arxiv.1403.3787,
title = {Using top graphene layer as sacrificial protection during dielectric atomic layer deposition},
author = {Xiaohui Tang and Nicolas Reckinger and Olivier Poncelet and Pierre Louette and Jean-François Colomer and Jean-Pierre Raskin and Benoit Hackens and Laurent A. Francis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.3787},
year = {2014}
}