高κ介电质对石墨烯中电荷输运的影响

研究了各种介电质对单层石墨烯中电荷迁移率的影响。通过计算由极性衬底引起的远程光学声子散射，并结合其对库仑杂质散射的影响，得出了介电质对石墨烯中电荷输运影响的全面图景。研究发现，尽管高κ介电质可以通过介电屏蔽有效降低库仑散射，但由此产生的表面声子模散射却抵消了这一优势。通过与窄带隙III-V族半导体的室温输运特性进行比较，概述了提高单层石墨烯迁移率的策略。