通过介电工程增强半导体纳米结构中的载流子迁移率

我们提出了一种通过修改介电环境来大幅提高二维和一维半导体纳米结构中载流子迁移率的技术。我们表明，通过用高-$\kappa$介电材料涂覆纳米结构，可以强烈抑制来自库仑杂质的散射。虽然屏蔽效应也被削弱，但库仑散射的抑制作用要大得多，由此产生的载流子迁移率提升对于薄二维半导体膜可达一个数量级，对于半导体纳米线则更高。