高k环境对石墨烯载流子迁移率的影响
介观与纳米尺度物理
2010-08-27 v2 材料科学
摘要
人们普遍认为石墨烯中散射的主要来源是衬底中的带电杂质。我们通过研究放置在不同衬底上和高k介质中的石墨烯来检验这一猜想。出乎意料的是，我们发现对于不同的衬底，以及使用甘油、乙醇和水作为顶部介电层，载流子迁移率均没有显著变化。这表明库仑杂质并非限制石墨烯在衬底上目前可达到的平均自由程的散射机制。
引用
@article{arxiv.0809.1162,
title = {Effect of high-k environment on charge carrier mobility in graphene},
author = {L. A. Ponomarenko and R. Yang and T. M. Mohiuddin and S. M. Morozov and A. A. Zhukov and F. Schedin and E. W. Hill and K. S. Novoselov and M. I. Katsnelson and A. K. Geim},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.1162},
year = {2010}
}
备注
further experiments proving the point are reported in the final version