氧化硅上石墨烯中主导散射体的强度
介观与纳米尺度物理
2015-07-27 v2
摘要
基于石墨烯的场效应晶体管载流子迁移率的巨大变异性阻碍了石墨烯科学与技术的发展。我们确定了导致氧化硅上基于石墨烯晶体管变异性的主导散射体的散射强度。发现该散射体的强度与带电杂质的一致性高于共振杂质。
引用
@article{arxiv.1502.03043,
title = {Strength of the dominant scatterer in graphene on silicon oxide},
author = {Jyoti Katoch and Duy Le and Simranjeet Singh and Rahul Rao and Talat S. Rahman and Masa Ishigami},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.03043},
year = {2015}
}