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垂直石墨烯基晶体管

介观与纳米尺度物理 2012-04-24 v2 材料科学

作者: Wolfgang Mehr , J. Christoph Scheytt , Jarek Dabrowski , Gunther Lippert , Ya-Hong Xie , Max C. Lemme , Mikael Ostling , Grzegorz Lupina

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摘要

我们提出了一种用于高频工作的新型石墨烯基器件概念：热电子石墨烯基晶体管（GBT）。模拟表明，GBT具有高电流开关比和高电流增益。模拟和小信号模型表明，它有望实现THz工作。基于能带考虑，我们提出了一种与SiGe工艺线兼容的特定材料解决方案。

关键词

石墨烯基晶体管热电子晶体管高频工作 THz工作电流开关比 SiGe工艺

引用

@article{arxiv.1112.4520,
  title  = {Vertical Graphene Base Transistor},
  author = {Wolfgang Mehr and J. Christoph Scheytt and Jarek Dabrowski and Gunther Lippert and Ya-Hong Xie and Max C. Lemme and Mikael Ostling and Grzegorz Lupina},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1112.4520},
  year   = {2012}
}

备注

9 pages, 3 figures; IEEE Electron Device Letters, Vol.33, Issue 5, (2012)