石墨烯-hBN-石墨烯结构中的多重负微分电导区与非弹性声子辅助隧穿
介观与纳米尺度物理
2016-06-03 v1
摘要
在本文中，我们详细研究了六方氮化硼（hBN）板与石墨烯层之间的旋转对齐对石墨烯-hBN-石墨烯器件垂直电流的影响。我们展示了对于小旋转角，hBN 晶格的动量转移如何导致器件 I-V 曲线的多重峰，从而产生显示负微分电导的多个区域。我们还研究了垂直电流中声子散射的效应，并观察到由光学声子自发辐射所允许的非弹性隧穿事件的开启如何导致电流二阶导数中的尖锐峰。
引用
@article{arxiv.1603.04446,
title = {Multiple negative differential conductance regions and inelastic phonon assisted tunneling in graphene-hBN-graphene structures},
author = {B. Amorim and R. M. Ribeiro and N. M. R. Peres},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.04446},
year = {2016}
}
备注
26 pages, 15 figures